Intel e Numonyx: passi avanti nelle tecnologie PCM

Intel Corporation e Numonyx B.V. hanno annunciato il raggiungimento di un importante obiettivo nell'ambito della ricerca legata alle memorie PCM (Phase change memory, a cambiamento di fase), una tecnologia di memoria non volatile che combina molti dei benefici delle varie tecnologie di memoria attuali, e della quale abbiamo già parlato in numerose occasioni (un approfondimento è disponibile a questa news).

Per la prima volta i ricercatori hanno dato dimostrazione di un chip di test da 64Mb che può essere organizzato in array multipli impilati di memoria PCM su un singolo die. Si tratta di un importante punto di arrivo e di partenza, in quanto socchiude la porta alla costruzione di soluzioni di memoria ad elevata capienza, basso consumo ed ingombri contenuti, sia per impieghi storage, sia per impieghi RAM tradizionali.

Il successo di questa ricerca è dovuto al programma di lavoro congiunto tra Intel e Numnoyx (che ricordiamo essere una partecipata da Intel e da STMicroelectronics), che hanno focalizzato la propria attenzione sulla possibilità di costruire memorie PCM organizzate a stack e a più strati. I ricercatori sono stati in grado di dare dimostrazione di una cella di memoria integrata verticalmente, denominata PCMS (phase change memory and switch). Questa struttura si compone di un elemento PCM disposto a strati con con una particolare tipo di interruttore denominato Ovonic Thresold Switch (OTS) andando a costituire un array di tipo cross-point. La possibilità di organizzare layer o stack array PCMS consente di realizzare memorie a più elevata densità, mantenendo le caratteristiche e le prestazioni proprie delle memorie PCM, una sfida altrimenti difficile da vincere con le tradizionali tecnologie di realizzazione delle memorie.

Al Fazio, Intel Fellow responsabile della divisione che si occupa dello sviluppo di tecnologie memoria, ha dichiarato: "Continuiamo a sviluppare le nostre tecnologie di memoria per l'avanzamento delle piattaforme di computazione. Siamo incoraggiati da questo risultato nella ricerca e riteniamo che le future tecnologie di memoria, come le PCMS, siano critiche per estendere il ruolo della memoria nelle piattaforme di computazione e per espandere funzionalità, prestazioni e scalabilità delle memorie".

"Questi risultati sono estremamente promettenti" ha dichiarato Greg Atwood, senior technology fellow per Numonyx. "Il risultato mostra il potenziale per una densità più elevata, per array scalabili e oer un utilizzo delle memorie PCM simili alle soluzioni NAND. Si tratta di un aspetto importante in quanto le tradizionali tecnologie per memorie flash devono fare i conti con limiti fisici e problemi di affidabilità e nel frattempo la domanda per le memorie continua a crescere in qualunque ambito, dai cellulari ai data center".

Le celle di memoria sono costruite ponendo a strati un elemento di storage ed un selettore, impiegando diverse celle che danno luogo ad un array di memoria. I ricercatori Intel e Numonyx sono stati in grado di sviluppare una pellicola sottile e due terminali OTS come selettore, andando a collimare con le proprietà fisiche ed elettriche necessarie per la scalabilità delle PCM .

Ulteriori informazioni circa le celle di memorie, gli array cross-point, altri test e risultati di esperimenti saranno disponibili nella pubblicazione titolata “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” che sarà presentata in occasione del 2009 International Electron Devices Meeting di Baltimora, il prossimo 9 dicembre.