DRAM+, dalla Germania la memoria che combina la velocità della DRAM con la persistenza dei dati della NAND flash

Due realtà tedesche, Ferroelectric Memory Company (FMC) e Neumonda, hanno deciso di unire le forze con l'obiettivo di riportare la progettazione e la produzione di memoria a semiconduttore in Germania. Il cuore della collaborazione si chiama DRAM+, una tecnologia di memoria non volatile che punta a rivoluzionare settori come l'intelligenza artificiale, il medicale, l'automotive, l'industriale e il consumer.

La DRAM+ di FMC si basa su una tecnologia che sfrutta le proprietà ferroelettriche dell'ossido di afnio (HfO₂), trasformando la DRAM in un dispositivo a bassa potenza e non volatile, pur mantenendo le elevate prestazioni tipiche della DRAM.

"FMC è stata fondata per sfruttare l'invenzione dirompente dell'effetto ferroelettrico dell'HfO₂ nelle memorie a semiconduttore. Applicato a una DRAM, questo effetto la trasforma in un dispositivo di storage non volatile a basso consumo, mantenendo le prestazioni elevate della DRAM per creare una memoria ideale per il calcolo IA", ha spiegato Thomas Rueckes, CEO di FMC.

La collaborazione con Neumonda, che vanta una esperienza nella progettazione e nei test di memorie, sarà determinante per accelerare lo sviluppo e la commercializzazione della DRAM+. Neumonda fornirà consulenza specialistica e metterà a disposizione le sue piattaforme di test avanzate - Rhinoe, Octopus e Raptor - per il collaudo della nuova tecnologia.

"Poiché le nostre piattaforme di test stanno maturando, i prodotti FMC rappresentano un banco di prova ideale per dimostrare le capacità dei nostri tester, così come l'elevata qualità produttiva che permettono", ha dichiarato Peter Poechmueller, CEO di Neumonda. "Uno degli obiettivi personali che mi hanno spinto a fondare Neumonda era riportare la memoria a semiconduttore in Europa. Con questa collaborazione, facciamo un grande passo avanti verso la creazione di un nuovo produttore tedesco di memorie".

Mentre l'Europa ha da tempo abbandonato la produzione di DRAM a causa della bassa redditività, la DRAM+ punta a segmenti specialistici, dove prestazioni, efficienza energetica e persistenza dei dati sono fondamentali.

La precedente generazione di memorie ferroelettriche, basata su materiali come il PZT, era limitata in capacità e difficile da integrare nei processi CMOS. L'introduzione dell'HfO₂, invece, rappresenta una svolta: è compatibile con il CMOS, scalabile sotto i 10 nm e consente densità molto più elevate, avvicinandosi alla DRAM convenzionale in termini di capacità e prestazioni. Al momento non è chiaro quando vedremo in commercio DRAM+.