Quote:
Originariamente inviato da s12a
Ho trovato il video (o meglio lo spezzone) di Gamers Nexus. Di base il discorso secondo me è condivisibile ma incompleto e quindi un po' fuorviante, perché se è vero che i le memorie NAND degradano meno velocemente se le scritture avvengono ad alta temperatura (è facile trovare non solo dati JEDEC ma anche paper in merito), la ritenzione dei dati già memorizzati diminuisce ad alta temperatura.
|
Sì, esatto, durante e solo le programmazioni preferiscono scaldare, del resto no. Ma ci sono anche altre cose da tenere in mente: cross temp, write-to-read, dwell time, ecc.
Ne avevo parlato pure in un altro forum riguardo al fatto che le NAND preferiscano scaldare in programmazione, ti prendo quello che ho scritto:
"Il data retention, come dici tu, è la capacità delle NAND di mantenere la corrente elettrica (cioè gli elettroni nel floating gate nel caso parlassimo di NAND Micron o Intel o comunque nel gate dove vengono "depositati") senza alimentazione. Bene, questo "fenomeno" può essere alterato facilmente dalla temperatura, infatti le NAND vengono testate con una temperatura determinata e costante per stabilire quant'è il loro specifico data retention con quelle condizioni. Per fare un esempio, le Micron B27B - che sono delle 96L TLC - sono state testate per un data retention di 6 mesi a 55 gradi. Un altro esempio sono le loro QLC 96L - modello N28A -, testate per un data retention di 4 mesi a 40 gradi.
Il perché le NAND a volte preferiscano scaldare invece di ghiacciare è semplice: c'è un "fenomeno" chiamato "RBER (raw bit error rate)" che indica il tasso di errori bit grezzo nelle NAND Flash; più è alto e peggio è, ovviamente. Ecco, in alcune situazioni, ovvero quando programmano scritture, più scaldano le NAND e meglio è perché il loro raw bit error rate diminuisce, il contrario invece quando non-programmano scritture, quindi più scaldano e più aumenta il loro raw bit error rate.
Per dire questo è stato fatto un PDF da parte di diversi ingegneri di diverse aziende (di cui Yu Cai, ingegnere di Seagate) che hanno testato testato una word line (circuito all'interno della cella, è l'insieme delle bit line) di una NAND Flash da 10000 cicli P/E (Programming/Erase). Asse delle y indica l'RBER e l'asse delle x indica il tempo del data retention in secondi:
Da quest'immagine possiamo trarre due osservazioni principalmente:
1) Quando il data retention è piccolo (cioè minore 2*10^2 - 2*10^2 non esente) il RBER (ovvero le curve rosse) diminuisce per le temperature di programmazione più elevate. Quindi ci si aspetta che il RBER diminuisca con temperature più elevate dato che temperature di programmazione più elevate porta un inferiore numero di errori di programmazione;
2) Quando il data retention è grande (cioè maggiore di 2*10^2 - 2*10^2 esente) il RBER aumenta per le temperature di programmazione più elevate. Questo succede perché all'aumentare della temperatura, quando le NAND non programmano, gli errori legati al data retention aumentano a una velocità maggiore. Esatto, è l'esatto contrario del primo punto!
A causa di questa crescita più rapida, l'RBER per una temperatura più alta supera come numero l'RBER della temperatura più bassa con un data retention compreso tra 10^2 e 10^3 secondi. Ciò indica che la tensione di soglia (Vth), ovvero la tensione che se applicata al gate inizia a far chiudere il MOSFET, si "sposta", ed è dovuto dal fatto che l'alta temperatura del retention è più veloce della bassa temperatura del retention, ed è giusto, perché è in linea con la legge di Arrhenius.
Quindi, se il WD è in un case con un buon airflow e non raggiunge la soglia del thermal throttling il controller (ovvero dopo i 70/75 gradi), è inutile dissipare l'SSD, gli ridurrebbe solo la vita e il data retention."